收藏本站
IDT71V67603, IDT71V67803, 256K x 36, 512K x 18, 3.3V Synchronous SRAMS with
3.3V I/O, Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect Commercial and Industrial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V DD = 3.3V ± 5%)
Symbol
|I LI |
|I LZZ |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
Input Leakage Current
ZZ and LBO Input Leakage Current (1)
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V DD = Max., V IN = 0V to V DD
V DD = Max., V IN = 0V to V DD
V OUT = 0V to V DDQ , Device Deselected
I OL = +8mA, V DD = Min.
I OH = -8mA, V DD = Min.
Min.
___
___
___
___
2.4
Max.
5
30
5
0.4
___
Unit
μA
μA
μA
V
V
NOTE:
5310 tbl 08
1. The LBO pin will be internally pulled to V DD if it is not actively driven in the application and the ZZ pin will be internally pulled to V SS if not actively driven.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (1)
Symbol
Parameter
Test Conditions
166MHz
150MHz
133MHz
Unit
Com'l only
Com'l
Ind
Com'l
Ind
I DD
I SB1
I SB2
I ZZ
Operating Power Supply
Current
CMOS Standby Power
Supply Current
Clock Running Power
Supply Current
Full Sleep Mode Supply
Current
Device Selected, Outputs Open, V DD = Max.,
V DDQ = Max., V IN > V IH or < V IL , f = f MAX (2)
Device Deselected, Outputs Open, V DD = Max.,
V DDQ = Max., V IN > V HD or < V LD , f = 0 (2,3)
Device Deselected, Outputs Open, V DD = Max.,
V DDQ = Max., V IN > V HD or < V LD , f = f MAX (2,3)
ZZ > V HD, V DD = Max.
340
50
160
50
305
50
155
50
325
70
175
70
260
50
150
50
280
70
170
70
mA
mA
mA
mA
5310 tbl 09
NOTES:
1. All values are maximum guaranteed values.
2. At f = f MAX, inputs are cycling at the maximum frequency of read cycles of 1/t CYC while ADSC = LOW; f=0 means no input lines are changing.
3. For I/Os V HD = V DDQ - 0.2V, V LD = 0.2V. For other inputs V HD = V DD - 0.2V, V LD = 0.2V.
AC Test Conditions
(V DDQ = 3.3V)
AC Test Load
V DDQ /2
50 ?
Input Pulse Levels
0 to 3V
I/O
Z 0 = 50 ?
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Timing Reference Levels
AC Test Load
2ns
1.5V
1.5V
See Figure 1
5310 tbl 10
6
5
4
5310 drw 06
Figure 1. AC Test Load
,
? t CD
3
(Typical, ns)
2
1
20 30 50
80 100
Capacitance (pF)
200
5310 drw 07
,
Figure 2. Lumped Capacitive Load, Typical Derating
9
6.42
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IDT71V67703S85BGGI IC SRAM 9MBIT 85NS 119BGA
IFMD18105 CABINET STEEL 19.6X39.4X77.3 BEI
IFMD18106 CABINET STEEL 23.6X39.4X77.3 BEI
IFMD18108 CABINET STEEL 31.5X39.4X77.3 BEI
IFMD1885 CABINET STEEL 19.6X31.5X77.3 BEI
IFMD1886 CABINET STEEL 23.6X31.5X77.3 BEI
IFMD1888 CABINET STEEL 31.5X31.5X77.3 BEI
IFMD20105 CABINET STEEL 19.6X39.4X86.1 BEI
相关代理商/技术参数
IDT71V67603S166PFGI8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 166MHZ 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT71V67603ZS133PF 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V67603ZS133PF8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040
IDT71V67703S75BG 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI
IDT71V67703S75BG8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 119BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI
IDT71V67703S75BGG 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI
IDT71V67703S75BGG8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI
IDT71V67703S75BGGI 功能描述:IC SRAM 9MBIT 75NS 119BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF